High Speed Signal

1）布局： （1） NAND 应靠近主控摆放; （2）去耦电容均靠近 NAND 摆放; （3） RE、 WE、 DQS 信号串接电阻靠近主控摆放，串阻与主控连接走线距离≤300mil; 2） 信号线走线要求： （1） NAND 与主控走线间走线≤2000mil; （2） 走线阻抗 50 欧; （3）线间距≥2 倍线宽; （4） D0~D7、 RE、 WE 相对于 DQS 做等长，控制≤300mil; （5） D0~D7 上使用过孔的数量尽量相同; （6）务必保证走线参考平面完整; （7）走线尽量避开高频信号; （8） VCC/VCCQ 线宽不小于 12mil，或直接使用敷铜代替电源走线；电源线上如有过孔，则过孔数量不少于 2 个，避免过孔限流影响供电;