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High Speed Signal - Revision history
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Chao: Created page with "1）布局： （1） NAND 应靠近主控摆放; （2）去耦电容均靠近 NAND 摆放; （3） RE、 WE、 DQS 信号串接电阻靠近主控摆放，串阻与主控连..."
2020-05-20T04:04:53Z
<p>Created page with "1）布局： （1） NAND 应靠近主控摆放; （2）去耦电容均靠近 NAND 摆放; （3） RE、 WE、 DQS 信号串接电阻靠近主控摆放，串阻与主控连..."</p>
<p><b>New page</b></p><div>1）布局：<br />
（1） NAND 应靠近主控摆放;<br />
（2）去耦电容均靠近 NAND 摆放;<br />
（3） RE、 WE、 DQS 信号串接电阻靠近主控摆放，串阻与主控连接走线距离≤300mil;<br />
2） 信号线走线要求：<br />
（1） NAND 与主控走线间走线≤2000mil;<br />
（2） 走线阻抗 50 欧;<br />
（3）线间距≥2 倍线宽;<br />
（4） D0~D7、 RE、 WE 相对于 DQS 做等长，控制≤300mil;<br />
（5） D0~D7 上使用过孔的数量尽量相同;<br />
（6）务必保证走线参考平面完整;<br />
（7）走线尽量避开高频信号;<br />
（8） VCC/VCCQ 线宽不小于 12mil，或直接使用敷铜代替电源走线；电源线上如有过孔，则过孔数量不少于 2 个，避免过孔限流影响供电;<br />
<br />
[[category: Layout]]</div>
Chao